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Etude du courant inversé des photodiodes PIN des composés III-V.


MM Dzagli
MA Mohou

Abstract

Les applications technologiques provoquent l’utilisation généralisée des matériaux sur lesquels s’imposent des études de leurs caractéristiques électrique, mécanique, thermique et optique. Les caractéristiques I-V ont été étudiées pour des photodiodes III-V en polarisation inverse. Les différents mécanismes de transport de charge sont définis dans la jonction p-n responsable des diverses composantes du courant d’obscurité. Ce courant résulte des courants de diffusion, de génération - recombinaison et tunnel. L’influence de la température, du dopage et de la structure du matériau a été étudiée afin de minimiser l’intensité du courant d’obscurité. Les composés III-V présentent beaucoup d’intérêts et occupent une place incontestée dans la recherche ainsi que dans l’industrie de pointe.

Mots clés : Semi-conducteurs, photodiodes, courant inverse-dopage.

Technological applications carry out that materials are very useful, so their studies are essential such as their characteristics (electrical, optical, mechanical, and thermal). The I-V characteristics were studied for photodiodes of III-V compound in reverse polarization. Different mechanisms of carriers transport were defined in p-n junction responsible for various components of the reverse current. The reverse current results from the diffusion, the generation - recombination and the tunnel currents. Effects of temperature, doping and the material structure were studied in order to minimize the intensity of the dark current. The III-V compound presents many interests and still occupies their place strongly either in research or in advanced technology industries.

Keywords: Semiconductors, photodiodes, reverse current, doping.


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eISSN: 2413-354X
print ISSN: 1727-8651