Évaluation du courant d’obscurité des couches actives de photodétecteurs à base de GaAs

  • M.M. Dzagli
  • K.K. Sossoe
  • Y Lambert
  • K.S. Gadedjisso-Tossou
  • M.A. Mohou
  • B Grandidier
Keywords: GaAs, LT-GaAs, courant d’obscurité, photodétecteurs pin, dark current, pin photodetector

Abstract

La connaissance du courant d’obscurité dans les photodétecteurs permet d’envisager une amélioration de leurs performances optiques et électriques. Dans l’optique d’optimiser la sensibilité spectrale de ces photodétecteurs, il urge d’évaluer le courant d’obscurité afin de le minimiser et pour assurer la stabilité des caractéristiques en fonctionnement. La mesure du courant d’obscurité est effectuée à température ambiante sur le GaAs dont la croissance a été réalisée à basses températures (GaAsBT) et sur le n- GaAs pour démontrer les caractéristiques électriques. Les mesures sur le courant d’obscurité ont montré l’influence de la température de recuit sur l’amplitude de courant. Les asymétries observées seraient dues à la qualité technologique des interfaces.

Mots clés: GaAs, LT-GaAs, courant d’obscurité, photodétecteurs pin

English Title: Evaluation of dark current from active layers of photodetectors based on GaAs

English Abstract

Knowledge of dark current in photodetector allows improving their optical and electrical performance. In order to optimize the spectral sensitivity of photodetectors, it is urgent to evaluate dark current in order to minimize and to ensure the stability of their characteristics in operation. Measurement of dark current is carried out at ambient temperature on GaAs grown at low temperatures (LT-GaAs) and on n-GaAs for demonstrating electrical characteristics. Measurements on the dark current have shown the influence of the annealing temperature on the current amplitude. The observed asymmetry could be due to the technological quality of interfaces.

Keywords: GaAs, LT-GaAs, dark current, pin photodetector

Published
2016-11-23
Section
Articles

Journal Identifiers


eISSN: 2413-354X
print ISSN: 1727-8651